Описание
IGBT+D 600V, 80A, 290W, Tf<70nS
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Характеристики
Номинальный ток, А:
80
Номинальное напряжение, В:
600
Корпус:
TO-247
https://static.procontact74.ru/media/product/8e555c6be089cf7208264968575181b7.pdf
